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APD探测器

TO封装APD探测器内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管（Avalanche Photon Diode，APD）探测芯片和跨阻放大器（TIA）芯片的探测器，该产品具有光敏面体积大，便于光信号接收；高响应度，低暗电流。高性能大光敏面的10Gbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。

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技术参数

参数

单位

Min.

Typ.

Max.

说明

光谱响应范围

nm

1310

1550

1610


通信速率

Gbps

0.01

－

12.5


饱和光功率

mw

－

5

－


响应度

A/W@1550nm

－

0.85

0.9


最小可探测功率

dBm

-20

－

-36


暗电流

nA

5

－

100


输出电平幅度

mV

300

400

550


工作电压

V

－

3.3

－


反向击穿电压

V

－

40

－


输出阻抗

Ω

－

50

－


工作温度

℃

－

-20～60

－


存储温度

℃

－

-30～70

－


模块质量

g

25

30

35


光敏面尺寸

um

40

—

400



产品特点

1.大面积光探测窗口

2.低暗电流          

3.高响应度、高倍增

4.速率达到10Gbps

5.100%测试和外观检测


应用领域

1.空间光通信             2.光电探测设备

3.光时域反射计               4.激光测距/距离测量

5.低光级探测                6.激光告警和激光雷达



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